サムスン電子は2024年、研究開発（R&D）と施設拡張に過去最高額となる約35兆ウォン（約240億9000万ドル）を投じた。前年比23.5%増というこの投資は、同社がAI半導体や高性能メモリ技術の開発に注力し、技術的優位性を維持するための戦略的な動きである。

特にAI分野への投資は、サーバー市場向けの大規模言語モデルに最適化された半導体や、オンデバイスAIの強化を視野に入れており、次世代技術の競争力を高める狙いがある。また、京畿道器興に建設予定の次世代半導体R&D施設「NRD-K」への投資も注目されている。

サムスンの過去最高額R&D投資が示す未来 AI・半導体分野での技術革新が加速

サムスン電子は2024年に約35兆ウォン（約240億9000万ドル）を研究開発（R&D）に投じ、前年から23.5%の増額となった。この資金はAI半導体や高性能メモリ、サーバー向け技術の進化に振り分けられており、特に大規模言語モデルの処理を強化する半導体の開発が進められている。

また、サムスンのR&D投資は四半期ごとに増加し、2024年第4四半期には10兆3000億ウォンという過去最高額に達した。この背景には、競争が激化する半導体市場でのシェア拡大や、次世代メモリ技術への対応がある。特に、高帯域幅メモリ（HBM）や高密度DDR5の需要が拡大する中、研究開発の重要性が高まっている。

一方で、サムスンの技術開発は消費者のデバイス体験にも直結している。オンデバイスAIの強化によってスマートフォンや家電製品の性能向上が見込まれ、日常的な利便性が大幅に向上する可能性がある。R&D投資がどのように具体的な製品へと反映されるかは今後の注目ポイントだ。

巨額投資の一環となる施設拡張 2030年に向けたNRD-Kプロジェクトとは

サムスンの2024年の施設投資額は53兆6000億ウォンに達し、これまでの最高額を更新した。特に注目されるのが、京畿道器興（キフン）に建設が進められている次世代半導体R&D拠点「New Research & Development-K（NRD-K）」である。この施設には2030年までに約20兆ウォンが投じられる予定で、サムスンの技術革新を支える重要な拠点となる。

NRD-Kは、AI半導体や次世代メモリ技術の開発を推進する目的で設立されており、将来的な技術競争の鍵を握る拠点として期待されている。また、サムスンディスプレイ（SDC）への投資も行われ、ディスプレイ技術の進化にも力が注がれる。この施設の拡張により、より高度なチップ設計や新しい製造プロセスの確立が加速することが予想される。

こうした戦略的な投資は、サムスンが今後の半導体市場での主導権を維持するためのものだ。しかし、投資規模の拡大によるコスト負担も懸念材料であり、設備投資がどの程度利益につながるかが今後の焦点となる。

AI主導の技術革新と市場競争 サムスンの挑戦と今後の行方

サムスンがAI技術に積極的に投資する背景には、市場競争の激化がある。特に、NVIDIAやAMDといった競合他社がAI向け半導体分野で先行する中、サムスンもHBMなどのメモリ技術を強化し、差別化を図っている。

R&D費用の増大は短期的には利益圧迫要因となるが、長期的にはAIを活用した新技術の創出につながる可能性がある。例えば、サムスンのチップは今後さらに進化し、AI処理能力の向上が期待される。これにより、スマートフォンやウェアラブルデバイスにおいて、リアルタイムAI処理が一層強化されることになる。

また、AIの進化に伴い、サーバー市場やデータセンター向けの半導体需要も拡大する見込みだ。サムスンがこれらの分野で競争力を維持するためには、単なる設備投資だけでなく、技術革新を続ける必要がある。今後の製品展開や市場の動向次第では、サムスンの技術戦略がさらに明確になるだろう。

Source：TechStory